Научный журнал
Научное обозрение. Физико-математические науки

ГИБКАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ НА ОСНОВЕ ОКСИДА НИОБИЯ Nb2O5

Кундозерова Т.В. 1 Черемисин А.Б. 1 Путролайнен В.В. 1
1 ФГБОУ ВПО «Петрозаводский государственный университет»
В статье представлены результаты разработки и экспериментального исследования прототипа элемента ReRAM (resistive random access memory) на основе униполярного резистивного переключения. Гибкие элементы энергонезависимой памяти ReRAM на основе оксида ниобия Nb2O5 были изготовлены с использованием низкотемпературного процесса анодного окисления, толщина оксидного слоя контролировалась напряжением анодирования и составляла порядка 75 нанометров. В качестве гибких подложек в исследуемых структурах использовалась полиимидная пленка Kapton. Униполярное резистивное переключение наблюдалось при подаче последовательных импульсов напряжения или тока на верхние электроды структур. Напряжение процесса записи (переход в низкоомное состояние) Uз = 1-1.5 В, процесса стирания (переход в высокоомное состояние) Uс = 0,2 - 0,5 В в процессе переключений сопротивлений структур менялось на 2 порядка. Параметры исследуемого резистивного переключения не деградировали после 100 000 механических сгибаний. Таким образом, полученные структуры могут быть использованы как элементы памяти для устройств гибкой электроники.
FLEXIBLE NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY BASED ON NIOBIUM OXIDES NB2O5

Kundozerova T.V. 1 Cheremisin A.B. 1 Putrolainen V.V. 1
1 Petrozavodsk State University

Abstract:
The article presents a results of development and experimental research of ReRAM (resistive random access memory) elements based on unipolar resistive switching effect. Flexible nonvolatile resistive random access memory elements based on niobium oxide were fabricated by low temperature process of anodic oxidation, the thicknesses of oxide films was about 75 nanometers and was controlled by anodizing voltages. Polyimide films Kapton was used as a flexible substrate for investigated samples. The effect of unipolar resistive switching was achieved by applying pulses of voltages or current on a top electrodes. Set voltages (switching to low resistance state) Us = 1 - 1.5 V, reset voltages (switching to high resistance state) Ures = 0.2 - 0.5 V. Parameters of resistive switching didn’t degrade after 100000 mechanical bends. Thus obtained structures can be used as a memory elements for devices of flexible electronics.

Keywords:

Библиографическая ссылка

Кундозерова Т.В., Черемисин А.Б., Путролайнен В.В. ГИБКАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ НА ОСНОВЕ ОКСИДА НИОБИЯ Nb2O5 // Научное обозрение. Физико-математические науки. – 2014. – № 1. – С. 36-36;
URL: http://physics.science-review.ru/ru/article/view?id=42 (дата обращения: 22.07.2019).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1.252